〔本報特約記者 華淩報導〕近日，清華大學積體電路學院教授任天令團隊在小尺寸電晶體研究方面取得突破，首次製備出亞1納米柵極長度的電晶體，其具有良好的電學性能。相關成果發表在最新一期《自然》雜誌線上版上。
目前主流工業界電晶體的柵極尺寸在12納米以上。為進一步突破1納米以下柵長電晶體的瓶頸，任天令團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優異的導電性能，將其作為柵極，通過石墨烯側向電場來控制垂直的二硫化鉬溝道的開關，從而實現等效的物理柵長為0.34納米。電晶體是晶片的核心元器件，更小的柵極尺寸能讓晶片上集成更多的電晶體，並提升性能。
「這次的科研工作，屬於研究團隊經過長期積累獲得的一個成果，中間的過程充滿挑戰。這一工作是中國自主智慧財產權，未來我們還將繼續進行溝道微縮及大規模晶片集成等工作，為中國芯作出一份貢獻。」任天令強調。