■ 理應
韓媒《BusinessKorea》上週三（6月29日）報導，三星電子將於6月30日開始率先量產環繞閘極技術（GAA）架構的3奈米製程。
該報導指出，三星將於6月30日宣佈開始大規模生產3奈米晶片，率先量產環繞閘極技術（GAA）架構的3奈米製程，期許透過押寶的新世代製程，一舉超越台積電，取得市佔領先地位。
三星押寶的GAA技術為新世代製程，能以更小的體積實現更好的功耗表現，可將晶片面積減少多達45％，同時性能提高30％，功耗降低50％，將為晶片業帶來另一次重大設計轉折。
如果消息為真，三星將搶先台積電和英特爾量產3奈米晶片，台積電計劃下半年才開始量產3奈米晶片，英特爾則預計明年下半年才開始。
外界認為三星可能會因為低良率問題而推遲3奈米量產時程，然而，這些擔憂被證明是毫無根據的。南韓知名晶片分析師、HMC投資證券公司研究中心主管Greg Roh透露，三星3奈米製程良率提升速度遠優於市場預期。
不過也有市場分析師認為，三星率先量產3奈米晶片的宣傳效果大於實際，因為以電晶體數量來說，三星的3奈米製程其實就是台積電5奈米。