【就事論世】韓媒爆三星已開始量產3奈米晶片 能否超越台積電有待觀察
■ 理應 韓媒《BusinessKorea》上週三(6月29日)報導,三星電子將於6月30日開始率先量產環繞閘極技術(GAA)架構的3奈米製程。該報導指出,三星將於6月30日宣佈開始大規模生產3奈米晶片,率先量產環繞閘極技術(GAA)架構的3奈米製程,期許透過押寶的新世代製程,一舉超越台積電,取得市佔領先地位。三星押寶的GAA技術為新世代製程,能以更小的體積實現更好的功耗表現,可將晶片面積減少多達45%,同時性能提高30%,功耗降低50%,將為晶片業帶來另一次重大設計轉折。如果消息為真,三星將搶先台積電和英特爾量產3奈米晶片,台積電計劃下半年才開始量產3奈米晶片,英特爾則預計明年下半年才開始。外界認為三星可能會因為低良率問題而推遲3奈米量產時程,然而,這些擔憂被證明是毫無根據的。南韓知名晶片分析師、HMC投資證券公司研究中心主管Greg Roh透露,三星3奈米製程良率提升速度遠優於市場預期。不過也有市場分析師認為,三星率先量產3奈米晶片的宣傳效果大於實際,因為以電晶體數量來說,三星的3奈米製程其實就是台積電5奈米。